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K4B4G0846E-BYK0 国产替代型号 — HGCHIPS HGD34G08L18E（DDR3 SDRAM 4Gb 512Mx8）
正在为 K4B4G0846E-BYK0（三星 Samsung）寻找可长期供货的国产替代？HGCHIPS 已量产型号 HGD34G08L18E 与它在容量、组织方式、速率与封装上规格对位，可直接作为二供与长周期备货方案。项目导入前请把完整料号与平台信息发给我们，由 FAE 逐项核对引脚定义与 die 版本后确认。
K4B4G0846E-BYK0 规格参数
| 原厂品牌 | 三星 Samsung |
|---|---|
| 原厂料号 | K4B4G0846E-BYK0 |
| 产品系列 | DDR3 SDRAM |
| 容量 | 4Gb |
| 组织方式 | 512Mx8 |
| 速率等级 | — |
| 工作电压 | —V |
| 封装 | — |
| 温度等级 | — |
替代型号对照：K4B4G0846E-BYK0 → HGD34G08L18E
| 对照项 | Samsung（原厂） | HGD34G08L18E（HGCHIPS） |
|---|---|---|
| 产品系列 | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| 容量 | 4Gb | 4Gb |
| 组织方式 | 512Mx8 | 512Mx8 |
| 速率等级 | — | — |
| 工作电压 | —V | —V |
| 封装 | — | — |
| 温度等级 | — | — |
| 兼容方式 | 原厂 | 规格对位（需 FAE 确认引脚） |
替代说明与注意事项
- 免改电路：引脚定义与封装一致，替换无需重新布板；BOM 直接替换即可试产。
- 逐批测试报告：出货前 100% 检验，可按批次提供测试数据用于 IQC 归档。
- 速率档与电压档：高速档可向下兼容低速平台；商规料不能替代工规料，工控与户外场景请选工业级（-40~85℃）型号。
- 导入建议：请提供完整料号（含后缀）与主板平台信息，由 FAE 核对 die 版本与时序后再量产。
采购与样品
- 现货 48 小时发货，长周期项目可锁价；
- 样品 10 pcs 起，样品费用可抵扣首单；
- 支持小批量试产与大货排产，提供批次追溯。
相关替代型号
同系列可替代料号：H5TC2G63DFR-RDA · H5TC2G83DFR-RDA · H5TC4G63EFR-RDI · H5TC4G63EFR-RDN · H5TC4G63EFR-TEN · H5TC4G83EFR-PBA · H5TC4G83EFR-RDI · H5TC8G63CMR-PBA
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