K4B4G1646E-BCK0 国产替代型号 — HGCHIPS HGD34G16S16E（DDR3 SDRAM 4Gb 256Mx16）

正在为 K4B4G1646E-BCK0（三星 Samsung）寻找国产替代？HGCHIPS HGD34G16S16E 为 pin-to-pin 兼容替代型号，封装、引脚定义与功能逐项对照原厂数据手册，换料免改电路，可直接用于现有 PCB 与固件，适合二供导入、停产（EOL）与配额短缺场景。

K4B4G1646E-BCK0 规格参数

原厂品牌三星 Samsung
原厂料号K4B4G1646E-BCK0
产品系列DDR3 SDRAM
容量4Gb
组织方式256Mx16
速率等级DDR3-1600
工作电压1.5V (DDR3)
封装VFBGA-96
温度等级商规

替代型号对照：K4B4G1646E-BCK0 → HGD34G16S16E

对照项Samsung（原厂）HGD34G16S16E（HGCHIPS）
产品系列DDR3 SDRAMDDR3 SDRAM
容量4Gb4Gb
组织方式256Mx16256Mx16
速率等级DDR3-1600DDR3-1600
工作电压1.5V (DDR3)1.5V (DDR3)
封装VFBGA-96VFBGA-96
温度等级商规商规
兼容方式原厂pin-to-pin 引脚兼容

替代说明与注意事项

  • 免改电路：引脚定义与封装一致，替换无需重新布板；BOM 直接替换即可试产。
  • 逐批测试报告：出货前 100% 检验，可按批次提供测试数据用于 IQC 归档。
  • 速率档与电压档：高速档可向下兼容低速平台；商规料不能替代工规料，工控与户外场景请选工业级（-40~85℃）型号。
  • 导入建议：请提供完整料号（含后缀）与主板平台信息，由 FAE 核对 die 版本与时序后再量产。

采购与样品

  • 现货 48 小时发货，长周期项目可锁价；
  • 样品 10 pcs 起，样品费用可抵扣首单；
  • 支持小批量试产与大货排产，提供批次追溯。

相关替代型号

同系列可替代料号：H5TC2G63DFR-RDA · H5TC2G83DFR-RDA · H5TC4G63EFR-RDI · H5TC4G63EFR-RDN · H5TC4G63EFR-TEN · H5TC4G83EFR-PBA · H5TC4G83EFR-RDI · H5TC8G63CMR-PBA

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