MT41K256M8DA-125 国产替代型号 — HGCHIPS HGD34G08M16(DDR3 SDRAM 4Gb 512Mx8)

正在为 MT41K256M8DA-125(美光 Micron)寻找可长期供货的国产替代?HGCHIPS 已量产型号 HGD34G08M16 与它在容量、组织方式、速率与封装上规格对位,可直接作为二供与长周期备货方案。项目导入前请把完整料号与平台信息发给我们,由 FAE 逐项核对引脚定义与 die 版本后确认。

MT41K256M8DA-125 规格参数

原厂品牌美光 Micron
原厂料号MT41K256M8DA-125
产品系列DDR3 SDRAM
容量4Gb
组织方式512Mx8
速率等级
工作电压—V
封装
温度等级

替代型号对照:MT41K256M8DA-125 → HGD34G08M16

对照项Micron(原厂)HGD34G08M16(HGCHIPS)
产品系列DDR3 SDRAMDDR3 SDRAM
容量4Gb4Gb
组织方式512Mx8512Mx8
速率等级
工作电压—V—V
封装
温度等级
兼容方式原厂规格对位(需 FAE 确认引脚)

替代说明与注意事项

  • 免改电路:引脚定义与封装一致,替换无需重新布板;BOM 直接替换即可试产。
  • 逐批测试报告:出货前 100% 检验,可按批次提供测试数据用于 IQC 归档。
  • 速率档与电压档:高速档可向下兼容低速平台;商规料不能替代工规料,工控与户外场景请选工业级(-40~85℃)型号。
  • 导入建议:请提供完整料号(含后缀)与主板平台信息,由 FAE 核对 die 版本与时序后再量产。

采购与样品

  • 现货 48 小时发货,长周期项目可锁价;
  • 样品 10 pcs 起,样品费用可抵扣首单;
  • 支持小批量试产与大货排产,提供批次追溯。

相关替代型号

同系列可替代料号:H5TC2G63DFR-RDA · H5TC2G83DFR-RDA · H5TC4G63EFR-RDI · H5TC4G63EFR-RDN · H5TC4G63EFR-TEN · H5TC4G83EFR-PBA · H5TC4G83EFR-RDI · H5TC8G63CMR-PBA

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