K4B4G0846E-BYK0 国产替代型号 — HGCHIPS HGD34G08L18E(DDR3 SDRAM 4Gb 512Mx8)

正在为 K4B4G0846E-BYK0(三星 Samsung)寻找可长期供货的国产替代?

HGCHIPS 已量产型号 HGD34G08L18E 与它在容量、组织方式、速率与封装上规格对位,可直接作为二供与长周期备货方案。项目导入前请把完整料号与平台信息发给我们,由 FAE 逐项核对引脚定义与 die 版本后确认。

K4B4G0846E-BYK0 规格参数

原厂品牌三星 Samsung
原厂料号K4B4G0846E-BYK0
产品系列DDR3 SDRAM
容量4Gb
组织方式512Mx8
速率等级—
工作电压—V
封装—
温度等级—

替代型号对照:K4B4G0846E-BYK0 → HGD34G08L18E

对照项Samsung(原厂)HGD34G08L18E(HGCHIPS)
产品系列DDR3 SDRAMDDR3 SDRAM
容量4Gb4Gb
组织方式512Mx8512Mx8
速率等级——
工作电压—V—V
封装——
温度等级——
兼容方式原厂规格对位(需 FAE 确认引脚)

替代说明与注意事项

  • 免改电路:引脚定义与封装一致,替换无需重新布板;BOM 直接替换即可试产。
  • 逐批测试报告:出货前 全检,可按批次提供测试数据用于 IQC 归档。
  • 速率档与电压档:高速档可向下兼容低速平台;商规料不能替代工规料,工控与户外场景请选工业级(-40~85℃)型号。
  • 导入建议:请提供完整料号(含后缀)与主板平台信息,由 FAE 核对 die 版本与时序后再量产。

采购与样品

  • 现货 48 小时发货,长周期项目可锁价;
  • 样品 10 pcs 起,样品费用可抵扣首单;
  • 支持小批量试产与大货排产,提供批次追溯。

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常见问题

K4B4G0846E-BYK0 能否直接替换,需要改电路吗?

不需要改电路。K4B4G0846E-BYK0 按 pin-to-pin 免改电路设计,封装与引脚定义对照原厂数据手册逐项比对,可直接用于现有 PCB 与固件,适合二供导入、停产(EOL)与配额短缺场景。

替换前需要核对哪些参数?

重点核对封装与引脚定义、工作温度等级;与目标板上的原厂料号逐项对齐后再小批量验证,任一项对不上我们会提前说明。

K4B4G0846E-BYK0 的样品与货期怎么算?

样品 10 pcs 起,样品费用可抵扣首单;现货型号下单后 48 小时内从深圳发出,长周期项目可锁价。深圳测试中心全检,可按批次提供测试数据用于 IQC 验收归档。

如何索取 K4B4G0846E-BYK0 的报价?

把目标料号、月用量与目标价发到 info@hgtech.cc 或致电 0760-8992 4799,工作日 24 小时内回复,现货型号当天回复。

本页最后更新:2026-09-21

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