华工科技有限公司欢迎您！
收藏本站 | 在线报价 | 站点地图 | 联系我们
致力成为最专业的芯片国产化，应用国产化专家。
DDR
IGBT
AI
IGBT
FPGA
中国芯
存储
H9HKNNNEBMABR-NEE 国产替代型号 — HGCHIPS HGD4H02S32（LPDDR4 / LPDDR4X 16Gb x32）
正在为 H9HKNNNEBMABR-NEE（SK海力士 SK Hynix）寻找可长期供货的国产替代？HGCHIPS 已量产型号 HGD4H02S32 与它在容量、组织方式、速率与封装上规格对位，可直接作为二供与长周期备货方案。项目导入前请把完整料号与平台信息发给我们，由 FAE 逐项核对引脚定义与 die 版本后确认。
H9HKNNNEBMABR-NEE 规格参数
| 原厂品牌 | SK海力士 SK Hynix |
|---|---|
| 原厂料号 | H9HKNNNEBMABR-NEE |
| 产品系列 | LPDDR4 / LPDDR4X |
| 容量 | 16Gb |
| 组织方式 | x32 |
| 速率等级 | — |
| 工作电压 | —V |
| 封装 | — |
| 温度等级 | — |
替代型号对照：H9HKNNNEBMABR-NEE → HGD4H02S32
| 对照项 | SK Hynix（原厂） | HGD4H02S32（HGCHIPS） |
|---|---|---|
| 产品系列 | LPDDR4 / LPDDR4X | LPDDR4 / LPDDR4X |
| 容量 | 16Gb | 16Gb |
| 组织方式 | x32 | x32 |
| 速率等级 | — | — |
| 工作电压 | —V | —V |
| 封装 | — | — |
| 温度等级 | — | — |
| 兼容方式 | 原厂 | 规格对位（需 FAE 确认引脚） |
替代说明与注意事项
- 免改电路：引脚定义与封装一致，替换无需重新布板；BOM 直接替换即可试产。
- 逐批测试报告：出货前 100% 检验，可按批次提供测试数据用于 IQC 归档。
- 速率档与电压档：高速档可向下兼容低速平台；商规料不能替代工规料，工控与户外场景请选工业级（-40~85℃）型号。
- 导入建议：请提供完整料号（含后缀）与主板平台信息，由 FAE 核对 die 版本与时序后再量产。
采购与样品
- 现货 48 小时发货，长周期项目可锁价；
- 样品 10 pcs 起，样品费用可抵扣首单；
- 支持小批量试产与大货排产，提供批次追溯。
相关替代型号
同系列可替代料号：H54G56BYYQX046 · H54G56BYYVX046 · H54G66BYYJX104 · H9HCNNN8KUMLHR-NLE · H9HCNNN8KUMLHR-NME · H9HCNNNBPUMLHR-NLE · H9HCNNNBPUMLHR-NME · H9HCNNNFAMALTR-NME
在线客服
在线客服